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Oblea de silicio de óxido térmico

Oblea de silicio de óxido térmico

Pastillas de silicio

La oblea de óxido de silicio térmico es un material clave en los procesos de semiconductores basados en silicio. A altas temperaturas, se forma una densa capa de dióxido de silicio (SiO₂) sobre la superficie de una oblea de silicio mediante un proceso de oxidación térmica. Esta capa de óxido se adhiere firmemente a la superficie de la oblea de silicio, formando una estructura compuesta con propiedades eléctricas y físicas específicas. Las obleas de óxido de silicio térmico se utilizan ampliamente en la fabricación de dispositivos semiconductores y son materiales fundamentales para la construcción de componentes electrónicos de alto rendimiento.
PLUTOSEMI
Productos Description

oblea de silicio de óxido térmico Es un tipo de oblea de silicio en la que se forma una capa de dióxido de silicio (SIO₂) sobre la superficie mediante un proceso de oxidación a alta temperatura. Este tipo de capa de óxido se forma sobre la superficie desnuda de las obleas de silicio a alta temperatura con oxidantes. La capa de oxidación térmica se suele formar en un horno tubular horizontal, con un rango de temperatura de crecimiento de 900 ℃ a 1200 ℃, y existen dos métodos de crecimiento: oxidación húmeda y oxidación seca. La capa de óxido térmico es un tipo de capa de óxido que se forma y presenta mayor uniformidad y rigidez dieléctrica que la capa de óxido depositada por CVD.


thermal oxide silicon wafer

Oblea de silicio de óxido térmico Presupuesto

nombre del productooblea de óxido de silicio térmico (sio₂/si)
capa de óxido sobre oblea de silicio
oxidación térmica de la oblea de silicio
capa de óxido (capa de sio₂)25 nm, 50 nm, 100 nm, 300 nm, 500 nm, 1 μm u otros
superficie de oxidaciónoxidación de un solo lado, oxidación de doble lado
proceso de oxidaciónoxidación seca, oxidación húmeda,
tipo de conductividad/dopantetipo n/dopado con fosfo o tipo n/dopado con boo o tipo p/dopado con boo o sin dopar
oientation< 100 > o < 111 >
diámetro de la oblea de silicio2" (50,8 mm), 3" (76,2 mm), 4" (100 mm), 6" (150 mm), 8" (200 mm), 12" (250 mm)
espeso de la oblea de silicio280μm, 380μm, 525μm, 675μm, 725μm
resistividad (ohm-cm)0,001~0,005, 0,01~0,09, 0,1~0,9, 1~10, 20~30, > 100, > 1000, > 10000
pulidoPulido de una sola cara o pulido de dos caras
rugosidad superficialra < 5a (0,5 nm) o ra < 10a (1,0 nm)
Fabricante de equipos originales (OEM)/fabricante de diseños originales (ODM)aceptar
naturaleza de la compañíaFábrica de fabricantes y proveedoes de China


Oblea de silicio de óxido térmico Características

1. Excelente rendimiento eléctrico

La oblea de silicio de óxido térmico, como aislante o material semiconductor amorfo, presenta un excelente rendimiento de aislamiento y estabilidad térmica. Su capacitancia específica a temperatura ambiente es relativamente baja, alrededor de 3,9, y disminuye con el aumento de la temperatura. Su alto rendimiento de aislamiento significa que, incluso en entornos de circuitos complejos, puede prevenir eficazmente la interferencia de señal y las fugas de corriente, asegurando así el rendimiento general del dispositivo.


2. buena controlabilidad

Los parámetros clave del proceso de oxidación térmica del silicio, como la temperatura, la atmósfera y el tiempo, se pueden controlar con precisión. La temperatura, como factor principal que afecta la tasa de oxidación y la calidad de la capa de óxido, puede promover significativamente el progreso de la reacción de oxidación. En términos de atmósfera, el oxígeno se utiliza generalmente como oxidante, y al ajustar el caudal de oxígeno, se puede controlar con precisión la tasa de oxidación. El tiempo de reacción determina directamente el espesor de la capa de óxido. En la producción real, al controlar estrictamente estos parámetros del proceso, se puede lograr un control preciso del espesor, la uniformidad y la calidad de la capa de óxido, cumpliendo así los requisitos de diseño de diversos dispositivos complejos.


3. Película de óxido de alta calidad

La película de óxido formada por oxidación con oxígeno seco tiene una estructura densa, buena uniformidad y repetibilidad. Su superficie presenta una estructura de siloxano no polar, que se adhiere bien a la fotorresistencia y no es fácil de flotar. Debido a su tasa de oxidación relativamente lenta, la oxidación con oxígeno seco suele ser adecuada para formar capas delgadas de óxido de alta calidad.


4. Proceso eficiente de oxidación húmeda con oxígeno.

El proceso de oxidación húmeda con oxígeno mejora significativamente la tasa de oxidación al introducir vapor de agua como oxidante. Debido a la descomposición del vapor de agua en óxido de hidrógeno a altas temperaturas, su tasa de difusión en óxido de silicio es mucho más rápida que la del oxígeno, por lo que la tasa de oxidación húmeda con oxígeno es aproximadamente un orden de magnitud mayor que la tasa de oxidación seca con oxígeno. Aunque se pueden introducir impurezas o defectos durante el proceso de oxidación húmeda con oxígeno, aún es posible obtener una capa de óxido que cumpla con los requisitos de rendimiento del dispositivo controlando estrictamente las condiciones del proceso.


5. Excelente uniformidad y densidad.

En comparación con otros métodos como la deposición química de vapor (CVD), la capa de óxido formada por oxidación térmica tiene mejor uniformidad y densidad. La capa de óxido formada por oxidación seca tiene mayor densidad y estructura más uniforme, lo que puede reducir efectivamente la aparición de defectos y poros. Esta excelente uniformidad y densidad asegura la consistencia del rendimiento del dispositivo, mejorando la confiabilidad y estabilidad del producto.


6. alta rigidez dieléctrica

El óxido de silicio térmico tiene una alta rigidez dieléctrica y puede soportar grandes intensidades de campo eléctrico sin romperse. Esta característica hace que el silicio oxidado térmicamente sea un material ideal para la fabricación de dispositivos de alto voltaje. En condiciones de alto voltaje, el silicio oxidado térmicamente puede mantener un rendimiento eléctrico estable, lo que garantiza el funcionamiento seguro del dispositivo. Su alta rigidez dieléctrica no solo mejora la resistencia al voltaje del dispositivo, sino que también proporciona la posibilidad de compacidad y alto rendimiento del dispositivo.


7. Buena estabilidad a altas temperaturas.

El óxido de silicio térmico puede mantener propiedades físicas y químicas estables en entornos de alta temperatura. La estabilidad a alta temperatura del silicio oxidado térmicamente garantiza que no sufrirá degradación del rendimiento ni cambios estructurales durante estos pasos del proceso, lo que garantiza la calidad y confiabilidad generales del dispositivo. Esta excelente estabilidad a alta temperatura hace que el óxido de silicio térmico se use ampliamente en varios escenarios de procesos de alta temperatura, lo que brinda un fuerte respaldo para la fabricación de dispositivos semiconductores.


Oblea de silicio de óxido térmico Flujo de proceso

El proceso de producción de obleas de silicio de óxido térmico incluye principalmente los siguientes pasos clave:


1. Limpieza de obleas de silicio: En primer lugar, se realiza un estricto tratamiento de limpieza en la oblea de silicio original para eliminar impurezas y contaminantes de la superficie, garantizando así la calidad del proceso de oxidación.


2. Preparación del horno de oxidación: Coloque la oblea de silicio limpia en un horno de oxidación de tubos de cuarzo. Los tubos de cuarzo tienen altos puntos de fusión y estabilidad química, y pueden soportar entornos de oxidación de alta temperatura.


3. control de temperatura: El control preciso de la temperatura del horno de oxidación se consigue mediante múltiples zonas de calentamiento, estabilizando la temperatura dentro del horno entre 1000 °C y 1200 °C y proporcionando energía suficiente para la reacción de oxidación.


4. Introducción de atmósfera de oxidación: Según los requisitos del proceso, introduzca oxígeno puro o una atmósfera de oxidación que contenga vapor de agua en el horno de oxidación. La oxidación con oxígeno seco utiliza oxígeno puro como oxidante para formar películas de óxido de alta calidad; la oxidación con oxígeno húmedo mejora la velocidad de reacción de oxidación a través del vapor de agua.


5. Monitoreo del proceso de oxidación: durante el proceso de oxidación, la tasa de crecimiento y la uniformidad de la capa de óxido se monitorean en tiempo real, y la calidad de la capa de óxido se asegura ajustando los parámetros del proceso.


6. Enfriamiento y retirada del horno: Una vez completada la oxidación, reduzca lentamente la temperatura dentro del horno a temperatura ambiente para evitar el agrietamiento o la deformación de la oblea de silicio debido a los cambios rápidos de temperatura. Finalmente, retire la oblea de silicio de óxido térmico para su posterior procesamiento y prueba.


Oblea de silicio de óxido térmico Solicitud

1. óxido de puerta MOSFET

La oblea de silicio de óxido térmico desempeña un papel crucial como óxido de compuerta en MOSFET (transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico). Tiene un buen aislamiento y una baja densidad de estado superficial, lo que puede controlar eficazmente el efecto de modulación del voltaje de compuerta en la corriente del canal y lograr la función de conmutación del dispositivo. La capa de óxido de compuerta generalmente se prepara mediante el método de oxidación térmica, formando una capa de óxido de silicio con una corriente de fuga extremadamente baja y una alta intensidad de campo eléctrico de ruptura, lo que garantiza la estabilidad y confiabilidad del dispositivo.


2. Capa dieléctrica del proceso IC

En el proceso de circuitos integrados (IC), la oblea de silicio de óxido térmico se utiliza ampliamente como capa dieléctrica para aislamiento eléctrico, protección de superficies y enmascaramiento. Su excelente aislamiento eléctrico, estabilidad térmica y estabilidad química lo convierten en uno de los materiales de capa dieléctrica más utilizados en la industria de semiconductores.


3. materiales de aislamiento y mascarilla

El óxido de silicio térmico no solo se utiliza como capa aislante en procesos de semiconductores, sino también como material de máscara, con alta selectividad e inercia química. Puede prevenir eficazmente la erosión de reactivos químicos o gases, definir con precisión el límite de difusión de los elementos dopantes y garantizar un control preciso del área de dopaje. En pasos clave como el grabado, la difusión y la implantación de iones, la oblea de silicio de óxido térmico actúa como una capa de máscara para proteger las áreas que no requieren procesamiento, mejorando la precisión y la eficiencia del proceso.


4. chips de silicio solar

En el campo de las células solares, la oblea de silicio de óxido térmico juega un papel importante como capa de pasivación superficial. Puede reducir eficazmente la tasa de recombinación superficial de las obleas de silicio y mejorar la eficiencia de conversión fotoeléctrica de las baterías. Las cargas positivas fijas formadas durante el proceso de oxidación térmica generarán pasivación de efecto de campo, reduciendo aún más la densidad de estados de defectos superficiales y mejorando el rendimiento de la batería.


5. oblea de silicio epitaxial

En el proceso de preparación de obleas de silicio epitaxial, el silicio oxidado térmicamente sirve como capa intermedia, proporcionando una superficie plana y limpia para el crecimiento epitaxial. Puede bloquear eficazmente la difusión de impurezas, proteger los dispositivos activos y el silicio de la influencia de los procesos posteriores. La calidad de la capa de silicio oxidado térmicamente es crucial para la calidad del crecimiento de la capa epitaxial y el rendimiento del dispositivo.


Embalaje y transporte

El embalaje deberá ser capaz de soportar posibles impactos, vibraciones, apilamiento y extrusión durante el transporte, pero también deberá ser fácil de cargar, descargar y transportar.

Utilizamos cajas de cristal profesionales para el embalaje. La Caja de obleas está protegida por una bolsa de doble capa, con una bolsa de pe antipolvo en el interior y una bolsa de papel de aluminio que se puede aislar del aire en el exterior. Las bolsas de doble capa están envasadas al vacío.

Seleccionaremos los modelos de cartón en función de los productos de diferentes tamaños. Y llenar la espuma EPE antisísmica entre el producto y la Caja de cartón para desempeñar un papel protector total.

Finalmente, se eligió el transporte aéreo para llegar al cliente. Esto permite a los clientes de cualquier país y región recibir productos en el tiempo más rápido posible.

Cumplimos con las reglas de la hoja de datos de Seguridad de materiales (msds) para garantizar que los productos transportados no contengan sustancias nocivas y no causen contaminación ambiental, explosiones y otros posibles peligros.


Packaging and Transportation

Fuerza empresarial

Superficie de la fábrica: 3.000 metros cuadrados


Proceso:

1. moldeo → 2. contorno del borde → 3. molienda → 4. pulido → 5. limpieza → 6. embalaje → 7. transporte


Capacidad:

Obleas de vidrio - "tabletas de 30k"

Pastillas de silicio - "tabletas de 20k

(igual a 6 pulgadas)


Enterprise Strength

Gestión de la calidad

Método de inspección de calidad: inspección del producto de acuerdo con los estándares semi o los requisitos del cliente, con el producto coa adjunto.


Período de garantía: de acuerdo con los requisitos del contrato.


Gestión del sistema de calidad:

● organizar la producción de acuerdo con ISO9001 y otras normas del sistema de calidad.

Sistema y medidas de gestión de la calidad:

● Establecer un estricto sistema de garantía de calidad, y los Jefes de departamento e ingenieros de calidad garantizan el funcionamiento coordinado del sistema de calidad.

● fortalecer el sistema de inspección de calidad y fortalecer el control de calidad del proceso

● Control estricto de la calidad de los materiales para garantizar que los materiales importados cumplan con los requisitos de diseño y las especificaciones técnicas.

● Implementar un sistema de archivo oportuno de datos técnicos para garantizar que todos los datos técnicos de procesamiento sean completos / precisos.


Control de calidad en la fase de producción:

● Etapa de preparación de la producción: organizar concienzudamente al personal relevante para aprender dibujos de productos y reglas técnicas para mejorar el nivel técnico de los empleados.

● Control de calidad del proceso de producción: se implementa un estricto sistema de entrega, y la entrega del proceso anterior al siguiente proceso debe procesarse en detalle. Al mismo tiempo, fortalecer el sistema de inspección de calidad para garantizar la calidad de cada paso del proceso.

● aceptación de calidad: todos los procesos deben someterse a aceptación de calidad antes de entrar en el siguiente proceso.


Quality Assurance

Preventa y posventa

Servicio de preventa

Soporte técnico profesional y equipo comercial para ayudarle a determinar las especificaciones del producto de acuerdo con el uso del producto y publicar las especificaciones.


Compra de servicios

Producir productos de acuerdo con las especificaciones confirmadas y nuestro proceso.


Servicio postventa

Responderemos a cualquier problema de producto o problema de proceso que encuentre el cliente dentro de las 24 horas. Podemos elegir diversas formas de servicios, como correo electrónico, videoconferencia, etc.


Sobre nosotros PLUTOSEMI

Fundada en 2019, con sede en nanhai, foshan, se centra en la investigación y desarrollo, producción y venta de materiales semiconductores de alto rendimiento.

Capacidad de producción avanzada: tenemos tres grandes bases de producción en china, con una capacidad mensual de 100.000 pastillas de silicio de 6 pulgadas equivalentes y 30.000 pastillas de silicio de vidrio de 8 pulgadas equivalentes, lo que garantiza un suministro estable y eficiente de productos a nuestros clientes.

Productos de alta calidad: ofrecemos soluciones innovadoras de suministro de productos eficientes y estables en obleas de vidrio, obleas pulidas de silicio, obleas epitaxiales (epi), obleas de silicio sobre aislantes (soi) y otros campos. Nuestras pastillas de silicio tienen las características de ultradelgado, ultraplano y alta precisión, y pueden satisfacer las necesidades de varias aplicaciones de alta gama. Nuestros sustratos de vidrio y cuarzo también son conocidos por su alta suavidad y diseño preciso de poros.

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