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Oblea de silicio dopada por transmutación de neutrones

Oblea de silicio dopada por transmutación de neutrones

Pastillas de silicio

NTD Silicon Wafer es una técnica de dopaje especial que inyecta iones de boro o fósforo en obleas de silicio a través de la transmutación de neutrones, formando obleas de silicio de tipo N.
PLUTOSEMI
Productos Description

La oblea de silicio NTD es una tecnología innovadora que logra el dopaje de semiconductores mediante reacciones nucleares. Su principio fundamental consiste en el bombardeo neutrónico de obleas de silicio de alta pureza para desencadenar reacciones de transformación isotópica, generando impurezas donantes (como el fósforo) y formando directamente semiconductores de tipo N. La tecnología NTD supera las limitaciones físicas del dopaje tradicional y ofrece una nueva dimensión para el procesamiento de semiconductores, especialmente en entornos que requieren uniones profundas, alta uniformidad o procesos a baja temperatura, con ventajas únicas.


NTD Silicon Wafer

Oblea de silicio dopada por transmutación de neutrones Presupuesto

Diámetro2"3"4"5"6"8"12"
CalificaciónPrincipal
Método de crecimientoEnfermedad del tubo neural
Orientación< 1-0-0 >,< 1-1-1 >,< 1-1-0 >
Tipo/DopanteTipo N/Fosfato
Espesor (um)279380525625675725775
Tolerancia de espesor±20 μm±20 μm
Resistividad> 100 ohmios-cm
Superficie acabadaP/E, P/P, E/E, G/G
TTV(um)Estándar<10um, maximum="" capabilities="">
Arco/Urdimbre(um)< 40 μm< 40 μm
Partícula<10@0.5um;>

Oblea de silicio dopada por transmutación de neutrones Características

1. Control preciso del dopaje

Control de la dosis de neutrones: Ajustando el flujo de neutrones (número de neutrones por unidad de área) y el tiempo de irradiación, se puede controlar con precisión la concentración de dopaje de fósforo o boro. Por ejemplo, cuando el flujo de neutrones en un reactor alcanza 10 ¹³ cm⁻² · s⁻¹, existe una relación lineal entre la concentración de dopaje y el tiempo de irradiación. La irradiación a baja temperatura (como la temperatura ambiente) puede reducir la influencia de la difusión térmica y lograr gradientes de dopaje pronunciados; el recocido a alta temperatura (como 800 ℃) puede activar impurezas y reparar daños en la red, optimizando así las propiedades eléctricas. Los neutrones pueden penetrar toda la oblea para preparar capas dopadas uniformemente o lograr un dopaje selectivo mediante la combinación de tecnología de máscara.


2. Dopaje de baja impureza

Optimización del rango de concentración: 10 ¹⁵ cm⁻³ (dopaje ultrabajo) es adecuado para sensores de alta resistencia, y 10 ¹⁸ cm⁻³ (dopaje medio) es adecuado para dispositivos de potencia. Por ejemplo, el dopaje con 10 ¹⁶ cm⁻³ de fósforo permite alcanzar silicio tipo N de 0,1 Ω·cm, equilibrando la conductividad y la tensión de ruptura. En comparación con los métodos de difusión tradicionales, la desviación estándar de la distribución de impurezas en NTD se reduce en un 50 %, lo que disminuye la concentración del campo eléctrico local y mejora la fiabilidad del dispositivo.


3. Estabilidad a altas temperaturas

Ventajas de la energía de activación térmica: La energía de enlace entre el fósforo y la red de silicio generada por la transmutación de neutrones (aproximadamente 0,45 eV) es mayor que la que se produce después del daño por implantación de iones, y el coeficiente de difusión de impurezas se reduce en dos órdenes de magnitud a altas temperaturas (>300 ℃).


4. Materiales de alta pureza

Preparation process: Single crystal silicon is grown using suspension zone melting (FZ) method with impurity concentration<10 ¹² cm ⁻ ³, and surface roughness<0.2 nm is achieved by combining chemical mechanical polishing (CMP). In high-purity silicon, the doping efficiency of NTD is increased by 40%, and the activation rate of impurities is increased from 85% to 98% due to the reduction of intrinsic defects.


5. Crystal integrity

Defect density comparison: The vacancy defect density introduced by NTD is less than 10 ⁸ cm ⁻ ², which is 3 orders of magnitude lower than ion implantation (>10 ¹¹ cm ⁻ ²), and the carrier mobility is increased by 15%. The lifetime of minority carriers has been extended from 1 μ s after ion implantation to 10 μ s for NTD, making it possible for high-efficiency solar cells (>24% efficiency).

Oblea de silicio dopada por transmutación de neutrones Solicitud

1. Circuitos integrados de alto rendimiento:

La oblea de silicio NTD tiene una amplia gama de aplicaciones en circuitos integrados de alto rendimiento. Mediante un control preciso del dopaje, se pueden fabricar transistores y puertas lógicas de alto rendimiento eléctrico. Esta tecnología es adecuada para la fabricación de microprocesadores, chips de memoria y otros circuitos integrados complejos, garantizando sus ventajas en la computación de alto rendimiento y el almacenamiento de datos.


2. Dispositivos de alto voltaje:

Las obleas de silicio dopadas por transmutación neutrónica se pueden aplicar a dispositivos de alto voltaje, como transistores y diodos de alto voltaje. Controlando la concentración y distribución del dopaje, se logra una alta resistencia a la tensión. Esta característica hace que las obleas de silicio NTD sean muy eficaces en campos como la electrónica automotriz y el control industrial.


3. Sensores biomédicos:

Las obleas de silicio NTD se utilizan ampliamente en sensores biomédicos debido a su alta pureza y buena biocompatibilidad. Por ejemplo, se pueden fabricar biosensores sensibles y estables utilizando la tecnología NTD para el diagnóstico médico y la monitorización biológica.


4. Componentes optoelectrónicos de alto rendimiento:

Las obleas de silicio NTD ofrecen un excelente rendimiento en componentes optoelectrónicos como células solares y fotodiodos. Mediante un control preciso del dopaje, se optimiza la eficiencia de conversión fotoeléctrica y se mejora el rendimiento fotoeléctrico del dispositivo, lo que las hace idóneas para la tecnología fotovoltaica y los fotodetectores.


5. Aplicación en entornos de alta temperatura:

Las obleas de silicio NTD mantienen propiedades eléctricas estables en entornos de alta temperatura, lo que las hace ideales para aplicaciones de alta temperatura. Esta característica las convierte en unas obleas de silicio NTD de gran valor en campos como la electrónica automotriz, el control industrial y la industria aeroespacial.


6. Dispositivos electrónicos especiales:

La oblea de silicio NTD se puede utilizar para preparar dispositivos electrónicos con propiedades eléctricas especiales, como dispositivos de alta resistividad y cables de baja resistividad. Estos dispositivos especiales pueden ofrecer ventajas de rendimiento únicas en aplicaciones específicas, mejorando el rendimiento general del sistema.


¿¿ eres una empresa comercial o un fabricante?

Somos un fabricante que se centra en el desarrollo y la venta de pastillas de silicio desde 2011. Después de una acumulación continua de clientes y acumulación profesional, ahora podemos proporcionar obleas semiconductoras de varios materiales.


¿¿ puedo hacer un pedido para comprar muestras?

Sí, sí.


¿¿ cuánto tiempo es tu fecha de entrega?

Esto depende del número de pedidos. Por lo general, para el inventario, podemos enviar en 7 días, y para los grandes lotes, podemos enviar en unos 30 días.


¿¿ cuáles son sus condiciones de pago?

R: transferencia bancaria por adelantado, esto se puede negociar.


¿¿ cuál es el modo de transporte?

Por lo general, elegimos fedex, si al cliente le gustan otros mensajeros, como dhl, ups, etc., por favor confirme con nosotros antes de hacer el pedido.


Embalaje y transporte

El embalaje deberá ser capaz de soportar posibles impactos, vibraciones, apilamiento y extrusión durante el transporte, pero también deberá ser fácil de cargar, descargar y transportar.

Utilizamos cajas de cristal profesionales para el embalaje. La Caja de obleas está protegida por una bolsa de doble capa, con una bolsa de pe antipolvo en el interior y una bolsa de papel de aluminio que se puede aislar del aire en el exterior. Las bolsas de doble capa están envasadas al vacío.

Seleccionaremos los modelos de cartón en función de los productos de diferentes tamaños. Y llenar la espuma EPE antisísmica entre el producto y la Caja de cartón para desempeñar un papel protector total.

Finalmente, se eligió el transporte aéreo para llegar al cliente. Esto permite a los clientes de cualquier país y región recibir productos en el tiempo más rápido posible.

Cumplimos con las reglas de la hoja de datos de Seguridad de materiales (msds) para garantizar que los productos transportados no contengan sustancias nocivas y no causen contaminación ambiental, explosiones y otros posibles peligros.


Packaging and Transportation

Fuerza empresarial

Superficie de la fábrica: 3.000 metros cuadrados


Proceso:

1. moldeo → 2. contorno del borde → 3. molienda → 4. pulido → 5. limpieza → 6. embalaje → 7. transporte


Capacidad:

Obleas de vidrio - "tabletas de 30k"

Pastillas de silicio - "tabletas de 20k

(igual a 6 pulgadas)


Enterprise Strength

Gestión de la calidad

Método de inspección de calidad: inspección del producto de acuerdo con los estándares semi o los requisitos del cliente, con el producto coa adjunto.


Período de garantía: de acuerdo con los requisitos del contrato.


Gestión del sistema de calidad:

● organizar la producción de acuerdo con ISO9001 y otras normas del sistema de calidad.

Sistema y medidas de gestión de la calidad:

● Establecer un estricto sistema de garantía de calidad, y los Jefes de departamento e ingenieros de calidad garantizan el funcionamiento coordinado del sistema de calidad.

● fortalecer el sistema de inspección de calidad y fortalecer el control de calidad del proceso

● Control estricto de la calidad de los materiales para garantizar que los materiales importados cumplan con los requisitos de diseño y las especificaciones técnicas.

● Implementar un sistema de archivo oportuno de datos técnicos para garantizar que todos los datos técnicos de procesamiento sean completos / precisos.


Control de calidad en la fase de producción:

● Etapa de preparación de la producción: organizar concienzudamente al personal relevante para aprender dibujos de productos y reglas técnicas para mejorar el nivel técnico de los empleados.

● Control de calidad del proceso de producción: se implementa un estricto sistema de entrega, y la entrega del proceso anterior al siguiente proceso debe procesarse en detalle. Al mismo tiempo, fortalecer el sistema de inspección de calidad para garantizar la calidad de cada paso del proceso.

● aceptación de calidad: todos los procesos deben someterse a aceptación de calidad antes de entrar en el siguiente proceso.


Quality Assurance

Preventa y posventa

Servicio de preventa

Soporte técnico profesional y equipo comercial para ayudarle a determinar las especificaciones del producto de acuerdo con el uso del producto y publicar las especificaciones.


Compra de servicios

Producir productos de acuerdo con las especificaciones confirmadas y nuestro proceso.


Servicio postventa

Responderemos a cualquier problema de producto o problema de proceso que encuentre el cliente dentro de las 24 horas. Podemos elegir diversas formas de servicios, como correo electrónico, videoconferencia, etc.


Sobre nosotros PLUTOSEMI

Fundada en 2019, con sede en nanhai, foshan, se centra en la investigación y desarrollo, producción y venta de materiales semiconductores de alto rendimiento.

Capacidad de producción avanzada: tenemos tres grandes bases de producción en china, con una capacidad mensual de 100.000 pastillas de silicio de 6 pulgadas equivalentes y 30.000 pastillas de silicio de vidrio de 8 pulgadas equivalentes, lo que garantiza un suministro estable y eficiente de productos a nuestros clientes.

Productos de alta calidad: ofrecemos soluciones innovadoras de suministro de productos eficientes y estables en obleas de vidrio, obleas pulidas de silicio, obleas epitaxiales (epi), obleas de silicio sobre aislantes (soi) y otros campos. Nuestras pastillas de silicio tienen las características de ultradelgado, ultraplano y alta precisión, y pueden satisfacer las necesidades de varias aplicaciones de alta gama. Nuestros sustratos de vidrio y cuarzo también son conocidos por su alta suavidad y diseño preciso de poros.

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