1. Alta pureza:

Las obleas de silicio FZ se producen mediante el método de zona flotante. En este proceso, la varilla de silicio se funde mediante calentamiento por inducción de alta frecuencia y se descompone por gravedad para formar un monocristal. No se requiere crisol en todo el proceso, lo que evita la contaminación del silicio con los materiales del crisol. Gracias a este método de fusión sin crisol, las obleas de silicio FZ presentan un contenido de impurezas extremadamente bajo y, por lo general, una mayor pureza que las obleas de silicio preparadas mediante otros métodos. Una alta pureza implica una menor concentración de defectos en las obleas de silicio FZ, lo que contribuye a mejorar el rendimiento eléctrico y la fiabilidad de los dispositivos, además de reducir la degradación del rendimiento causada por las impurezas.

2. Diversos diámetros y especificaciones:

Estas obleas de silicio están disponibles en una variedad de especificaciones y tamaños, con diámetros que van desde 2 pulgadas hasta 8 pulgadas, y se pueden personalizar para satisfacer las necesidades de diferentes aplicaciones. Con el continuo desarrollo de la tecnología de semiconductores, la demanda de obleas de silicio de mayor diámetro también está en aumento, y las obleas de silicio de FZ se adaptan constantemente a esta tendencia, ofreciendo obleas de mayor tamaño para satisfacer la demanda del mercado.

3. Excelente uniformidad de dopaje:

La oblea de silicio de zona flotante puede lograr un dopaje muy uniforme durante el proceso de crecimiento, ya que su mecanismo de crecimiento determina una distribución más uniforme de los elementos dopantes en los cristales de silicio. El dopaje uniforme ayuda a mejorar la consistencia y la estabilidad del rendimiento de los dispositivos y a reducir las fluctuaciones de rendimiento causadas por el dopaje desigual. Mediante tecnologías avanzadas como el dopaje por transmutación neutrónica (NTD), se puede mejorar aún más la uniformidad del dopaje de las obleas de silicio FZ, reduciendo así su rango de variación de resistividad y cumpliendo con los requisitos de aplicaciones de mayor precisión.

4. Adecuado para dispositivos de alto rendimiento:

Debido a la alta pureza y alta resistividad de la oblea de silicio de zona flotante, es particularmente adecuada para la fabricación de dispositivos semiconductores de alta potencia, dispositivos de frecuencia ultra alta (como transistores de RF y microondas), interruptores de alto voltaje, rectificadores de potencia y fotodetectores.

1. Dispositivos semiconductores de potencia:

Debido a su alta resistividad y baja concentración de defectos, es particularmente adecuado para la fabricación de dispositivos semiconductores de alto voltaje y alta potencia, como transistores bipolares de puerta aislada (IGBT), tiristores, rectificadores controlados de silicio (SCR), etc. Estos dispositivos juegan un papel importante en los sistemas electrónicos de potencia y se utilizan para controlar, convertir y regular la energía eléctrica.

2. Fotosensores y otros sensores:

La alta pureza de la oblea de silicio de zona flotante reduce el impacto de las impurezas en la absorción y dispersión de las señales luminosas, y mejora la sensibilidad y precisión de los fotosensores. Por lo tanto, se utiliza ampliamente en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos como fotosensores, fotodiodos y fotoacopladores.

3. Dispositivos de alta frecuencia y radiofrecuencia:

También tiene excelentes propiedades eléctricas y es adecuado para la fabricación de dispositivos de alta frecuencia y radiofrecuencia, como transistores de radiofrecuencia, circuitos integrados de microondas, etc. Estos dispositivos son ampliamente utilizados en comunicaciones, radar, navegación por satélite y otros campos.

4. Componentes ópticos de terahercios:

Las obleas de silicio de zona flotante presentan una alta permeabilidad a la radiación de terahercios, por lo que se utilizan a menudo para fabricar componentes ópticos que requieren alta permeabilidad a la radiación de terahercios, como lentes y ventanas. Estos componentes desempeñan un papel importante en la imagenología de terahercios, la espectroscopia de terahercios y otros campos.

5. Detectores:

Su alta pureza y baja concentración de defectos lo convierten en un material ideal para la fabricación de detectores de alta sensibilidad. Estos detectores se utilizan ampliamente en física de partículas, astronomía, monitoreo ambiental y otros campos para detectar señales débiles o partículas específicas.

6. Aplicaciones de la energía solar:

A pesar de su elevado coste de producción, su alta pureza y sus excelentes propiedades eléctricas todavía lo convierten en un material atractivo en algunas aplicaciones de energía solar de alta gama, como centrales solares espaciales, células solares de alta eficiencia, etc.

¿¿ eres una empresa comercial o un fabricante?

Somos un fabricante que se centra en el desarrollo y la venta de pastillas de silicio desde 2011. Después de una acumulación continua de clientes y acumulación profesional, ahora podemos proporcionar obleas semiconductoras de varios materiales.

¿¿ puedo hacer un pedido para comprar muestras?

Sí, sí.

¿¿ cuánto tiempo es tu fecha de entrega?

Esto depende del número de pedidos. Por lo general, para el inventario, podemos enviar en 7 días, y para los grandes lotes, podemos enviar en unos 30 días.

¿¿ cuáles son sus condiciones de pago?

R: transferencia bancaria por adelantado, esto se puede negociar.

¿¿ cuál es el modo de transporte?

Por lo general, elegimos fedex, si al cliente le gustan otros mensajeros, como dhl, ups, etc., por favor confirme con nosotros antes de hacer el pedido.