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El silicio sobre aislante, a menudo abreviado como SOI, se refiere a una estructura semiconductora en capas donde se coloca una fina película de silicio sobre un sustrato aislante. Esta estructura se utiliza ampliamente en electrónica avanzada porque mejora el aislamiento eléctrico, reduce la capacitancia parásita y aumenta la velocidad del dispositivo.

El silicio sobre aislante, a menudo abreviado como SOI, es una tecnología de fabricación de semiconductores en la que una fina capa de silicio se separa del sustrato principal mediante una capa aislante. Esta estructura se diferencia de las obleas de silicio tradicionales porque los dispositivos activos se forman sobre una película de silicio muy fina colocada sobre una capa de óxido.

La vía de silicio es una conexión eléctrica vertical que atraviesa completamente una oblea de silicio, lo que la convierte en un método de interconexión clave en circuitos integrados 3D modernos y encapsulado avanzado. Acorta las rutas de señal, reduce la pérdida de potencia y facilita el apilamiento de alta densidad en dispositivos semiconductores.

La tecnología Through Glass Via es un método de microfabricación que se utiliza para crear conexiones eléctricas verticales que pasan directamente a través de un sustrato de vidrio. Permite interconexiones de alta densidad, rutas de señal precisas y un mejor rendimiento térmico en encapsulados electrónicos avanzados.

En la industria de fabricación de semiconductores, la planitud del sustrato de una oblea es un parámetro crítico. Sin una planitud excelente, los procesos posteriores, como la litografía, la deposición de película delgada, el pulido químico-mecánico (CMP) y la unión, pueden verse afectados en términos de rendimiento, uniformidad y fiabilidad.

En la fabricación de semiconductores, el pulido de obleas desempeña un papel fundamental. Un proceso de pulido bien ejecutado garantiza la integridad de la superficie y la subsuperficie de la oblea, lo que a su vez garantiza un alto rendimiento y un rendimiento robusto del dispositivo. Sin embargo, los defectos durante el pulido pueden comprometer la planitud, introducir arañazos, picaduras o partículas y, en última instancia, reducir la fiabilidad.

En el encapsulado avanzado de semiconductores, la interconexión vertical mediante obleas de vidrio, conocida como tecnología Through Glass Via (TGV), está cobrando importancia. A diferencia de las interconexiones tradicionales basadas en silicio u sustratos orgánicos, las TGV utilizan sustratos de vidrio para formar vías metalizadas que conectan la parte frontal y posterior de una oblea o intercalador.

El crecimiento epitaxial de obleas se refiere al proceso de depositar una película cristalina sobre un sustrato cristalino, de modo que la película depositada (la capa epitaxial) hereda la estructura reticular y la orientación del sustrato subyacente. El resultado es una oblea en la que la capa semiconductora activa se ha desarrollado con una calidad cristalina muy alta.

Los sustratos de zafiro, en concreto el óxido de aluminio monocristalino (Al₂O₃) en forma de oblea, se han convertido en un material indispensable en la electrónica avanzada, la optoelectrónica y los componentes ópticos de alta gama. Derivados del zafiro, pero cultivados con una pureza ultraalta, estos sustratos ofrecen una combinación única de transparencia óptica, aislamiento eléctrico, rendimiento térmico y robustez mecánica.

En la industria de semiconductores, el grosor de la oblea es una especificación crucial que influye directamente en la resistencia mecánica, el rendimiento térmico y la precisión de fabricación del dispositivo. Una oblea de silicio de 6 pulgadas, también conocida como oblea de 150 mm, es uno de los sustratos más utilizados en la fabricación de circuitos integrados (CI) y MEMS.

El corte de obleas de silicio es uno de los pasos más delicados y cruciales en la fabricación de semiconductores. La precisión en esta etapa afecta directamente el rendimiento, el rendimiento y la integridad de los dispositivos microelectrónicos. Las obleas de silicio, que suelen tener un diámetro de entre 100 mm y 300 mm, son extremadamente delgadas y frágiles, por lo que requieren equipos especializados, control ambiental y parámetros de corte optimizados para lograr bordes limpios y sin grietas.

Los sustratos de zafiro se han convertido en un material de base esencial en las industrias de semiconductores, optoelectrónica y fotónica. Su excepcional estabilidad física y química los hace ideales para la fabricación de LED, diodos láser, dispositivos de radiofrecuencia y componentes ópticos que exigen extrema precisión y durabilidad.