Oblea de carburo de silicio SiC
Chip Semiconductor compuesto
-
+86-17701852595 WhatsApp
-
sales@plutosemitech.com Email
La oblea de carburo de silicio es un material semiconductor compuesto de silicio y carbono, con la fórmula química sic. Como material semiconductor de banda ancha de alto rendimiento, la oblea de sic exhibe un excelente rendimiento en aplicaciones de alta temperatura, alto voltaje y alta potencia, y es una opción ideal para dispositivos de radiofrecuencia y electrónica de potencia de próxima generación. Con la creciente demanda mundial de dispositivos de alta eficiencia y bajo consumo energético, la oblea de sic tiene una perspectiva de mercado muy amplia y se ha convertido en uno de los materiales clave para promover el avance de la tecnología de semiconductores.

Oblea de carburo de silicio SiC Presupuesto
| diámetro | 150 ± 0,5 mm, 200 ± 0,25 mm | ||
| espesor 4h | 350 μm ± 25 μm | ||
| 500 μm ± 25 μm | |||
| orientación de la oblea | fuera del eje: 4,0° hacia 1120 ±0,5° | ||
| densidad de microtubos | ≤ 0.2 cm-2 | ≤ 5 cm-2 | ≤ 10 cm-2 |
| bpd | ≤ 1500ea/cm2 | ≤ 2000ea/cm2 | eso |
| tsd | ≤ 300ea/cm2 | ≤ 1000ea/cm2 | eso |
| resistividad | 0,015~0,025 Ω·cm | ||
| exclusión de bordes | 3 milímetros | ||
| ttv/arco/urdimbre | ≤ 3 μm / ≤ 5 μm / ≤ 10 μm | ||
| aspereza | pulido ra ≤ 0,2 nm | ||
| grietas por luz de alta intensidad | ninguno | ninguno | 1 permitido, ≤ 1 mm |
| Placas hexagoesoles mediante luz de alta intensidad | área acumulada ≤ 1 % | área acumulada ≤ 1 % | área acumulada ≤ 3 % |
| Áreas de politipo mediante luz de alta intensidad | ninguno | área acumulada ≤ 2 % | área acumulada ≤ 5% |
| arañazos por | 3 rasguños a 1× | 5 rasguños a 1× | 8 rasguños a 1× |
| luz de alta intensidad | diámetro de la oblea | diámetro de la oblea | diámetro de la oblea |
| longitud acumulada | longitud acumulada | longitud acumulada | |
| chip de borde | ninguno | Se permiten 3, ≤ 0,5 mm cada uno | Se permiten 5, ≤ 1 mm cada uno |
| contamiesoción por | ninguno | ||
| luz de alta intensidad | |||
| Fabricante de equipos origiesoles (OEM)/fabricante de diseños origiesoles (ODM) | aceptar | ||
| esoturaleza de la compañía | Fábrica de fabricantes y proveedores de Chieso | ||
Oblea de carburo de silicio SiC Características
1. Características de banda ancha:
La característica principal de las obleas de carburo de silicio es su ancho de banda de aproximadamente 3,26 EV, muy superior al de los materiales de silicio tradicionales (aproximadamente 1,12 EV). Esta característica confiere a las obleas de SIC una intensidad de campo eléctrico de ruptura y una conductividad térmica extremadamente altas, lo que les permite funcionar de forma estable en entornos de alta temperatura y alta presión. En las mismas condiciones, la densidad de potencia de los dispositivos de SIC puede ser más de un orden de magnitud superior a la de los dispositivos de silicio, lo que mejora significativamente la eficiencia y la fiabilidad del equipo.
2. alta conductividad térmica:
La conductividad térmica de las obleas de carburo de silicio alcanza los 490 W/m·k, más del triple de la de los materiales de silicio (aproximadamente 150 W/m·k). Este excelente rendimiento de disipación de calor permite que los dispositivos SIC funcionen durante mucho tiempo en entornos de alta temperatura sin necesidad de dispositivos de refrigeración adicionales. Esto es especialmente importante en aplicaciones que requieren una alta densidad de potencia, como vehículos eléctricos, fuentes de alimentación industriales y sistemas de energía renovable.
3. Alto voltaje de ruptura:
La oblea de carburo de silicio tiene un voltaje de ruptura mucho más alto que el silicio, lo que significa que los dispositivos de energía basados en SIC pueden operar a voltajes más altos mientras mantienen una corriente de fuga baja. Esta característica hace que los dispositivos SIC funcionen bien en áreas como conversión de energía, controladores de motores e inversores solares, reduciendo significativamente las pérdidas de energía y mejorando la eficiencia del sistema.
4. baja resistencia de encendido:
La oblea de carburo de silicio tiene una resistencia de encendido mucho menor que el silicio, lo que hace que los dispositivos de potencia basados en SIC generen menos calor en el estado encendido, mejorando aún más la eficiencia general del sistema. Esta característica de baja resistencia de encendido es particularmente adecuada para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, que pueden reducir significativamente las pérdidas de conmutación.
5. Alta resistencia mecánica:
La oblea de carburo de silicio tiene una resistencia mecánica extremadamente alta y su dureza es superada solo por el diamante y más del doble que la del silicio. Esta característica hace que la oblea de carburo de silicio exhiba una excelente resistencia al desgaste y al rayado durante el procesamiento, al mismo tiempo que mantiene la integridad estructural en entornos extremos (como alta temperatura, alta presión o fuerte vibración).
6. estabilidad química:
La oblea de SIC muestra una estabilidad extremadamente alta a la mayoría de los productos químicos y puede mantener un buen rendimiento incluso en entornos de oxidación con ácidos fuertes, álcalis fuertes o de alta temperatura. Esta estabilidad química no solo extiende la vida útil del dispositivo, sino que también reduce los costos de mantenimiento.
7. Constante dieléctrica baja:
La oblea de SIC tiene una constante dieléctrica baja de solo 9,7, que es mucho menor que la de los materiales de silicio (aproximadamente 11,7). Esta característica permite que los dispositivos SIC muestren una capacitancia parásita menor en aplicaciones de alta frecuencia, mejorando así significativamente la velocidad de transmisión de la señal y el tiempo de respuesta del circuito.
8. Alta tolerancia a la radiación:
La oblea SIC tiene una tolerancia extremadamente alta a la radiación y puede mantener un rendimiento eléctrico estable en entornos de alta radiación. Esta característica le da un amplio rango de potencial de aplicación en los campos aeroespacial, de energía nuclear y militar.
9. Control preciso de la calidad del cristal:
La oblea de carburo de silicio SIC de Plutosemi utiliza tecnología avanzada de crecimiento de cristales y tecnología de procesamiento de precisión para garantizar que cada oblea tenga una calidad de cristal y una superficie plana extremadamente altas. Por ejemplo, la densidad de microtubos se controla a un nivel extremadamente bajo (≤0,2 cm⁻²) y no hay grietas ni impurezas dentro del cristal, lo que garantiza la confiabilidad y la consistencia del dispositivo.
10. Especificaciones personalizadas:
Plutosemi ofrece obleas SIC de diversas especificaciones, incluidos productos con diámetros de 150 mm y 200 mm, con espesores que van desde 350 μm a 500 μm, para satisfacer las necesidades de diferentes clientes. Además, el ángulo de orientación (fuera del eje) y el área de exclusión de bordes (exclusión de bordes) de la oblea también están estrictamente controlados para garantizar el cumplimiento de los estándares de la industria.
Oblea de carburo de silicio SiC Flujo de proceso
1. Preparación de la materia prima:
La producción de obleas de carburo de silicio (SIC) comienza con la selección de polvo de silicio de alta pureza y una fuente de carbono (como el grafito). Estas materias primas deben someterse a una rigurosa purificación para eliminar cualquier impureza que pueda afectar la calidad del cristal. Solo las materias primas con una pureza del 99,999% pueden ingresar al proceso de producción posterior.
2. crecimiento de cristales:
El crecimiento de cristales de obleas de SIC generalmente adopta el transporte físico de vapor (PVT), que es una tecnología madura de crecimiento de cristales. Durante el proceso PVT, el polvo de silicio y la fuente de carbono se calientan a altas temperaturas (aproximadamente 2000 °C a 2500 °C) para formar una reacción en fase gaseosa y finalmente se depositan en el cristal semilla para formar un monocristal de SIC. Todo el proceso de crecimiento debe llevarse a cabo en un entorno de vacío o gas inerte para evitar la contaminación externa.
3. Control de temperatura y presión:
Durante el proceso de crecimiento de los cristales, el control preciso de la temperatura y la presión es crucial. Plutosemi utiliza sistemas avanzados de control de temperatura y reguladores de presión para garantizar que la temperatura y la presión en el reactor se mantengan siempre en el estado óptimo, generando así cristales de SiC de alta calidad.
4. Corte y pulido de cristales:
Una vez completado el crecimiento del cristal, el lingote de Sic original se corta en obleas delgadas. Plutosemi utiliza equipos de corte de alta precisión para garantizar que el espesor de la oblea sea uniforme (el error se controla dentro de ±25 μm). La oblea cortada también debe pasar por múltiples procesos de pulido para lograr los requisitos de planitud y rugosidad de la superficie.
5. Pulido y limpieza:
El pulido es un paso clave en la producción de obleas SIC, cuyo objetivo es mejorar aún más la calidad de la superficie de la oblea. Plutosemi utiliza tecnología de pulido químico-mecánico (CMP) para controlar la rugosidad de la superficie de la oblea a Ra ≤ 0,2 nm. Después del pulido, la oblea también debe pasar por un riguroso proceso de limpieza para eliminar partículas residuales y contaminantes.
6. Inspección de calidad:
cada oblea sic debe pasar por múltiples inspecciones de calidad antes de salir de la fábrica, incluida la detección de densidad de microtubos, análisis de defectos de superficie, medición de resistividad y evaluación del rendimiento óptico. plutosemi utiliza equipos de prueba avanzados, como microscopios electrónicos de barrido (sem) y microscopios de fuerza atómica (afm), para garantizar que las obleas cumplan con los estrictos estándares de la industria.
7. Embalaje y transporte:
Para evitar que las obleas se dañen durante el transporte, Plutosemi utiliza soluciones de embalaje profesionales antiestáticas y a prueba de golpes. Las obleas se colocan en una caja protectora especial y se fijan con materiales de amortiguación para garantizar que permanezcan intactas durante el transporte.
Oblea de carburo de silicio SiC Solicitud
1. dispositivos electrónicos de potencia:
La oblea de carburo de silicio (SIC) es el material principal para la fabricación de dispositivos electrónicos de potencia de alto rendimiento, ampliamente utilizados en conversión de energía, accionamiento de motores y gestión de energía. Los dispositivos MOSFET e IGBT basados en SIC pueden operar a voltajes y frecuencias más altos, lo que reduce significativamente las pérdidas de energía y mejora la eficiencia del sistema. Esta característica los convierte en una opción ideal para vehículos eléctricos, fuentes de alimentación industriales y sistemas de energía renovable como la generación de energía eólica e inversores solares.
2. dispositivos de radiofrecuencia:
La alta conductividad térmica y las características de banda ancha de la oblea de carburo de silicio la convierten en un material ideal para dispositivos de RF. Los amplificadores y mezcladores de potencia de RF basados en SIC pueden mantener un rendimiento estable en condiciones de alta frecuencia y alta potencia y se utilizan ampliamente en estaciones base de comunicaciones, sistemas de radar y comunicaciones por satélite.
3. aeroespacial y defensa:
La alta tolerancia a la radiación y la excelente resistencia mecánica de las obleas de SIC las convierten en una aplicación importante en los campos aeroespacial y de defensa. Por ejemplo, los sensores y actuadores basados en SIC pueden funcionar de manera estable en entornos extremos y se utilizan en sistemas de control de actitud, navegación y comunicación de naves espaciales.
4. Nueva energía y almacenamiento de energía:
En el campo de las nuevas energías, las obleas de SIC se utilizan ampliamente en equipos como inversores fotovoltaicos, sistemas de almacenamiento de energía y pilas de carga. Su alta eficiencia y alta confiabilidad pueden mejorar significativamente la eficiencia de conversión de energía y reducir los costos del sistema.
5. Electrónica automotriz:
La oblea de SIC es uno de los materiales principales para vehículos eléctricos e híbridos, y se utiliza en componentes como cargadores de a bordo, convertidores CC/CC e inversores de tracción. Los dispositivos basados en SIC pueden reducir significativamente la pérdida de energía, extender la vida útil de la batería y mejorar el rendimiento general del vehículo.
6. automatización industrial:
En el campo de la automatización industrial, la oblea SIC se utiliza en transmisiones de CC de alto voltaje, accionamientos de motores industriales y sistemas de redes inteligentes. Su alta densidad de potencia y sus características de alta eficiencia pueden mejorar significativamente el rendimiento y la confiabilidad de los equipos industriales.
7. Investigación y desarrollo científico:
La oblea de carburo de silicio también es un material importante para la investigación y el desarrollo científico. Se utiliza ampliamente en la investigación y el desarrollo de nuevos dispositivos semiconductores, pruebas de rendimiento de materiales de banda ancha y exploración de tecnologías futuras.
Embalaje y transporte
El embalaje deberá ser capaz de soportar posibles impactos, vibraciones, apilamiento y extrusión durante el transporte, pero también deberá ser fácil de cargar, descargar y transportar.
Utilizamos cajas de cristal profesionales para el embalaje. La Caja de obleas está protegida por una bolsa de doble capa, con una bolsa de pe antipolvo en el interior y una bolsa de papel de aluminio que se puede aislar del aire en el exterior. Las bolsas de doble capa están envasadas al vacío.
Seleccionaremos los modelos de cartón en función de los productos de diferentes tamaños. Y llenar la espuma EPE antisísmica entre el producto y la Caja de cartón para desempeñar un papel protector total.
Finalmente, se eligió el transporte aéreo para llegar al cliente. Esto permite a los clientes de cualquier país y región recibir productos en el tiempo más rápido posible.
Cumplimos con las reglas de la hoja de datos de Seguridad de materiales (msds) para garantizar que los productos transportados no contengan sustancias nocivas y no causen contaminación ambiental, explosiones y otros posibles peligros.

Fuerza empresarial
Superficie de la fábrica: 3.000 metros cuadrados
Proceso:
1. moldeo → 2. contorno del borde → 3. molienda → 4. pulido → 5. limpieza → 6. embalaje → 7. transporte
Capacidad:
Obleas de vidrio - "tabletas de 30k"
Pastillas de silicio - "tabletas de 20k
(igual a 6 pulgadas)

Gestión de la calidad
Método de inspección de calidad: inspección del producto de acuerdo con los estándares semi o los requisitos del cliente, con el producto coa adjunto.
Período de garantía: de acuerdo con los requisitos del contrato.
Gestión del sistema de calidad:
● organizar la producción de acuerdo con ISO9001 y otras normas del sistema de calidad.
Sistema y medidas de gestión de la calidad:
● Establecer un estricto sistema de garantía de calidad, y los Jefes de departamento e ingenieros de calidad garantizan el funcionamiento coordinado del sistema de calidad.
● fortalecer el sistema de inspección de calidad y fortalecer el control de calidad del proceso
● Control estricto de la calidad de los materiales para garantizar que los materiales importados cumplan con los requisitos de diseño y las especificaciones técnicas.
● Implementar un sistema de archivo oportuno de datos técnicos para garantizar que todos los datos técnicos de procesamiento sean completos / precisos.
Control de calidad en la fase de producción:
● Etapa de preparación de la producción: organizar concienzudamente al personal relevante para aprender dibujos de productos y reglas técnicas para mejorar el nivel técnico de los empleados.
● Control de calidad del proceso de producción: se implementa un estricto sistema de entrega, y la entrega del proceso anterior al siguiente proceso debe procesarse en detalle. Al mismo tiempo, fortalecer el sistema de inspección de calidad para garantizar la calidad de cada paso del proceso.
● aceptación de calidad: todos los procesos deben someterse a aceptación de calidad antes de entrar en el siguiente proceso.

Preventa y posventa
Servicio de preventa
Soporte técnico profesional y equipo comercial para ayudarle a determinar las especificaciones del producto de acuerdo con el uso del producto y publicar las especificaciones.
Compra de servicios
Producir productos de acuerdo con las especificaciones confirmadas y nuestro proceso.
Servicio postventa
Responderemos a cualquier problema de producto o problema de proceso que encuentre el cliente dentro de las 24 horas. Podemos elegir diversas formas de servicios, como correo electrónico, videoconferencia, etc.
Fundada en 2019, con sede en nanhai, foshan, se centra en la investigación y desarrollo, producción y venta de materiales semiconductores de alto rendimiento.
Capacidad de producción avanzada: tenemos tres grandes bases de producción en china, con una capacidad mensual de 100.000 pastillas de silicio de 6 pulgadas equivalentes y 30.000 pastillas de silicio de vidrio de 8 pulgadas equivalentes, lo que garantiza un suministro estable y eficiente de productos a nuestros clientes.
Productos de alta calidad: ofrecemos soluciones innovadoras de suministro de productos eficientes y estables en obleas de vidrio, obleas pulidas de silicio, obleas epitaxiales (epi), obleas de silicio sobre aislantes (soi) y otros campos. Nuestras pastillas de silicio tienen las características de ultradelgado, ultraplano y alta precisión, y pueden satisfacer las necesidades de varias aplicaciones de alta gama. Nuestros sustratos de vidrio y cuarzo también son conocidos por su alta suavidad y diseño preciso de poros.