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Oblea de arseniuro de galio GaAs

Oblea de arseniuro de galio GaAs

Chip Semiconductor compuesto

El arseniuro de galio (GaAs) es un material semiconductor con características superiores como alta frecuencia, alta movilidad de electrones, alta potencia de salida, bajo ruido y buena linealidad, que se utiliza ampliamente en las industrias optoelectrónica y microelectrónica.
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Productos Description

La oblea de arseniuro de galio (oblea de GAAS) es un material semiconductor compuesto III-V, compuesto de galio y arsénico. Las obleas de GAAS suelen presentarse en forma de monocristales. Se obtienen lingotes de gran tamaño y alta pureza mediante procesos de crecimiento de cristales a alta temperatura, que luego se procesan en obleas de tamaño estándar mediante procesos como corte, esmerilado y pulido. Actualmente, las obleas de GAAS se dividen principalmente en dos tipos: semiaislantes y dopadas, adecuadas para aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas de alta gama con diferentes requisitos funcionales.


gallium arsenide wafer

Oblea de arseniuro de galio GaAs Presupuesto

nombre del productounidadEspecificaciones del producto de la aplicación ldEspecificaciones del producto de aplicación LEDEspecificaciones de productos para aplicaciones microelectrónicas
tipo conductor
tipo ntipo p/tipo n-
métodos de crecimiento de cristales
vgfvgfvgf
dopante
ynombre/identidaddesdopantee
diámetropulgada2", 3", 4" y 6"2", 3", 4" y 6"2", 3", 4" y 6"
orientación(*)
(100)±0,1°(100)±0,5°(100)±0,5°
de/y
nosotros o ejnosotros o ejnosotros, ej o notch
concentración de portadores/cm3(0,4-2,5)×1018(0,5-5)×1019
(0,4-4)×1018

reystividad (temperatura ambiente)ohm·cm(1,2-9,9)×10-3(1,2-9,9)×10-3>107
movilidad de electronescm2/v·s>150050-120/>1000>4000
EPD/cm2< 500< 5000< 5000
marca láser
personalizado según los requiytos del clientepersonalizado según los requiytos del clientepersonalizado según los requiytos del cliente
Espesor del producto terminado(*)micras(350-650)±25(350-650)±25(350-650)±25
televiyón de alta definición (DSP)micras≤5≤5≤4
televiyón de alta definición (ssp)micras≤10≤10≤10
urdimbremicras≤10≤10≤10
parte delantera/parte traseralado 1pulidopulidopulido

página 2pulido/grabadopulido/grabadopulido/grabado
listo para usar
paquete
casetes de una o varias piezascasetes de una o varias piezascasetes de una o varias piezas

* La orientación y el grosor se pueden personalizar según los requiytos de los clientes.

Oblea de arseniuro de galio GaAs Características

1. alta movilidad de electrones:

La oblea de arseniuro de galio tiene una movilidad de electrones extremadamente alta, y la velocidad de movimiento de los electrones bajo el mismo campo eléctrico es mucho más rápida que la de los materiales a base de silicio. Esta característica se debe a la baja masa efectiva de electrones en su estructura cristalina y al débil efecto de dispersión reticular, que permite que los portadores migren más rápido en el material, mejorando así la velocidad y la eficiencia generales de la respuesta eléctrica.


2. Excelente respuesta de alta frecuencia:

Las obleas de GAAS tienen excelentes capacidades de respuesta de alta frecuencia y pueden soportar la transmisión y el procesamiento de señales a nivel de GHz. Su velocidad de respuesta de portadora es rápida y el efecto parásito es pequeño. Puede mantener una salida de corriente estable en condiciones de alta frecuencia al tiempo que reduce el retraso y la distorsión de la señal, mostrando un rendimiento dinámico superior a los materiales semiconductores tradicionales.


3. Buen rendimiento óptico:

La oblea de arseniuro de galio tiene una estructura de banda prohibida directa que puede emitir y absorber fotones de manera eficiente. Su estructura de banda permite la liberación directa de energía de fotones cuando los electrones y los huecos se recombinan, lo que mejora la eficiencia de la luminiscencia. Además, el material tiene un alto coeficiente de absorción de luz y es adecuado para construir una interfaz de conversión fotoeléctrica eficiente.


4. Rendimiento de bajo ruido:

Las obleas de Gaas pueden mantener un bajo nivel de ruido en condiciones de trabajo de alta frecuencia. Su mecanismo de dispersión de portadora es débil y el ruido térmico y el ruido de disparo están bien controlados, lo que ayuda a mejorar la relación señal-ruido del dispositivo. La baja densidad de defectos internos del material también ayuda a suprimir fluctuaciones electrónicas inesperadas y a mejorar la estabilidad general de la señal.


5. Capacidad de alta potencia de salida:

Las obleas de GAAS tienen una fuerte capacidad de transporte de corriente y un alto voltaje de ruptura. Su estructura cristalina es estable y puede soportar una alta intensidad de campo eléctrico sin fallas, por lo que puede operar de manera estable en condiciones de alta potencia. La conductividad térmica del material también es buena, lo que ayuda a disipar el calor y extender la vida útil del dispositivo.


6. Buena linealidad y estabilidad:

La oblea de arseniuro de galio muestra una buena linealidad eléctrica y estabilidad térmica en un amplio rango de temperatura. Su concentración de portadores cambia poco con la temperatura y la curva de resistividad es suave, lo que ayuda a reducir la deriva de los parámetros eléctricos causada por los cambios ambientales, asegurando así la confiabilidad y la consistencia del funcionamiento a largo plazo del dispositivo.


7. Rendimiento antidopaje controlable:

Las obleas de GAAS se pueden dopar con diferentes elementos (como SI, GE y ZN) para ajustar su conductividad y concentración de portadores. La uniformidad del dopaje durante el crecimiento del cristal es buena y la densidad del estado de la interfaz es baja, lo que favorece la realización de dispositivos semiconductores de alto rendimiento y alta consistencia para satisfacer diversos requisitos de diseño.


8. tipos de cristales diversificados:

Las obleas de arseniuro de galio se pueden dividir en dos categorías según su uso: tipo semiaislante y tipo dopado. El tipo semiaislante tiene una concentración de portadores de fondo extremadamente baja y es adecuado para sustratos pasivos de alta frecuencia; mientras que el tipo dopado regula la conductividad introduciendo elementos de impurezas específicos para satisfacer las necesidades de fabricación de dispositivos activos y dispositivos optoelectrónicos.


Oblea de arseniuro de galio GaAs Flujo de proceso

1. Síntesis de materia prima:

La producción de obleas de arseniuro de galio comienza con la síntesis de materias primas de alta pureza. El galio y el arsénico reaccionan químicamente en un reactor de alta temperatura y alta presión para formar arseniuro de galio policristalino. Dado que el arsénico tiene una alta presión de vapor a altas temperaturas, el proceso de síntesis debe llevarse a cabo en condiciones específicas de alta presión para garantizar el buen desarrollo de la reacción.


2. crecimiento de un solo cristal:

El crecimiento de monocristales a partir de arseniuro de galio policristalino es uno de los pasos clave. Los métodos comunes incluyen Bridgman horizontal, congelación de gradiente vertical (VGF) y Czochralski encapsulado en líquido (LEC). Entre ellos, el método LEC es actualmente el método principal para producir arseniuro de galio monocristalino de alta pureza. Al sellar la masa fundida de arseniuro de galio en vidrio a alta temperatura, se evitan dislocaciones durante el crecimiento del cristal.


3. Corte y pulido de obleas:

Una vez que el monocristal ha crecido, es necesario cortarlo en rodajas finas, es decir, obleas. Generalmente, se utilizan hojas de sierra de diamante para cortar. La superficie de la oblea después del corte es relativamente rugosa y se requiere rectificado para eliminar la capa dañada generada durante el proceso de corte y hacer que la superficie de la oblea sea más lisa.


4. limpieza y pulido:

La superficie de la oblea de arseniuro de galio después de la molienda aún puede tener impurezas y pequeños defectos, por lo que se requiere una limpieza y un pulido estrictos. El proceso de limpieza generalmente incluye remojar en una solución química para eliminar los residuos de la superficie. El pulido utiliza un líquido de pulido especial para pulir mecánicamente la superficie de la oblea para lograr una planitud y un acabado extremadamente altos, lo cual es crucial para la fabricación posterior de dispositivos microelectrónicos.


5. Inspección y embalaje de obleas:

Finalmente, la oblea de arseniuro de galio procesada se inspecciona para garantizar que su calidad y rendimiento cumplan con los requisitos. El contenido de la inspección incluye la integridad del cristal, la planitud de la superficie, el contenido de impurezas, etc. Las obleas que pasan la inspección se empaquetarán en un contenedor dedicado para evitar daños durante el transporte y el almacenamiento.


Oblea de arseniuro de galio GaAs Solicitud

1. Dispositivos de radiofrecuencia y microondas:

La oblea de arseniuro de galio se utiliza ampliamente en la fabricación de dispositivos de RF y microondas, como transistores como Mesfet y Hemt. Su alta movilidad de electrones y sus características de bajo ruido hacen que desempeñe un papel clave en estaciones base 5G, radares y equipos de comunicación por satélite, mejorando las capacidades de procesamiento de señales de alta frecuencia.


2. dispositivos optoelectrónicos:

Las obleas de GAAS se utilizan ampliamente en la fabricación de LED, diodos láser y fotodetectores debido a sus características de banda prohibida directa. Tienen una alta eficiencia luminosa y una rápida velocidad de respuesta, y son adecuadas para una variedad de aplicaciones optoelectrónicas como pantallas, iluminación, comunicación por fibra óptica y detección.


3. amplificadores de potencia:

La oblea de arseniuro de galio tiene un alto voltaje de ruptura y excelentes capacidades de manejo de potencia, y a menudo se utiliza para fabricar amplificadores de potencia de RF. Dichos amplificadores se utilizan ampliamente en comunicaciones móviles, módulos Wi-Fi y equipos de comunicación militar para garantizar una transmisión de señal estable y eficiente.


4. Detectores infrarrojos:

Las obleas de GAAS se pueden utilizar para fabricar detectores infrarrojos, especialmente en la banda del infrarrojo cercano. Su alta sensibilidad y capacidad de respuesta rápida hacen que sea ampliamente utilizado en monitoreo de seguridad, imágenes térmicas y detección industrial.


5. Circuitos integrados semiconductores:

La oblea de arseniuro de galio se puede utilizar para fabricar circuitos integrados analógicos y digitales de alta frecuencia. Sus excelentes características de alta frecuencia y bajos efectos parásitos le otorgan ventajas obvias en la computación de alta velocidad, front-ends de RF y circuitos integrados de aplicaciones específicas (ASIC).


6. células solares:

Las obleas de GAAS, como materiales fotovoltaicos de alta eficiencia, se utilizan para fabricar paneles solares espaciales. Tienen una alta eficiencia de conversión fotoeléctrica y una fuerte resistencia a la radiación, y son particularmente adecuadas para su uso en el campo aeroespacial, proporcionando energía estable para satélites y sondas de espacio profundo.


Embalaje y transporte

El embalaje deberá ser capaz de soportar posibles impactos, vibraciones, apilamiento y extrusión durante el transporte, pero también deberá ser fácil de cargar, descargar y transportar.

Utilizamos cajas de cristal profesionales para el embalaje. La Caja de obleas está protegida por una bolsa de doble capa, con una bolsa de pe antipolvo en el interior y una bolsa de papel de aluminio que se puede aislar del aire en el exterior. Las bolsas de doble capa están envasadas al vacío.

Seleccionaremos los modelos de cartón en función de los productos de diferentes tamaños. Y llenar la espuma EPE antisísmica entre el producto y la Caja de cartón para desempeñar un papel protector total.

Finalmente, se eligió el transporte aéreo para llegar al cliente. Esto permite a los clientes de cualquier país y región recibir productos en el tiempo más rápido posible.

Cumplimos con las reglas de la hoja de datos de Seguridad de materiales (msds) para garantizar que los productos transportados no contengan sustancias nocivas y no causen contaminación ambiental, explosiones y otros posibles peligros.


Packaging and Transportation

Fuerza empresarial

Superficie de la fábrica: 3.000 metros cuadrados


Proceso:

1. moldeo → 2. contorno del borde → 3. molienda → 4. pulido → 5. limpieza → 6. embalaje → 7. transporte


Capacidad:

Obleas de vidrio - "tabletas de 30k"

Pastillas de silicio - "tabletas de 20k

(igual a 6 pulgadas)


Enterprise Strength

Gestión de la calidad

Método de inspección de calidad: inspección del producto de acuerdo con los estándares semi o los requisitos del cliente, con el producto coa adjunto.


Período de garantía: de acuerdo con los requisitos del contrato.


Gestión del sistema de calidad:

● organizar la producción de acuerdo con ISO9001 y otras normas del sistema de calidad.

Sistema y medidas de gestión de la calidad:

● Establecer un estricto sistema de garantía de calidad, y los Jefes de departamento e ingenieros de calidad garantizan el funcionamiento coordinado del sistema de calidad.

● fortalecer el sistema de inspección de calidad y fortalecer el control de calidad del proceso

● Control estricto de la calidad de los materiales para garantizar que los materiales importados cumplan con los requisitos de diseño y las especificaciones técnicas.

● Implementar un sistema de archivo oportuno de datos técnicos para garantizar que todos los datos técnicos de procesamiento sean completos / precisos.


Control de calidad en la fase de producción:

● Etapa de preparación de la producción: organizar concienzudamente al personal relevante para aprender dibujos de productos y reglas técnicas para mejorar el nivel técnico de los empleados.

● Control de calidad del proceso de producción: se implementa un estricto sistema de entrega, y la entrega del proceso anterior al siguiente proceso debe procesarse en detalle. Al mismo tiempo, fortalecer el sistema de inspección de calidad para garantizar la calidad de cada paso del proceso.

● aceptación de calidad: todos los procesos deben someterse a aceptación de calidad antes de entrar en el siguiente proceso.


Quality Assurance

Preventa y posventa

Servicio de preventa

Soporte técnico profesional y equipo comercial para ayudarle a determinar las especificaciones del producto de acuerdo con el uso del producto y publicar las especificaciones.


Compra de servicios

Producir productos de acuerdo con las especificaciones confirmadas y nuestro proceso.


Servicio postventa

Responderemos a cualquier problema de producto o problema de proceso que encuentre el cliente dentro de las 24 horas. Podemos elegir diversas formas de servicios, como correo electrónico, videoconferencia, etc.


Sobre nosotros PLUTOSEMI

Fundada en 2019, con sede en nanhai, foshan, se centra en la investigación y desarrollo, producción y venta de materiales semiconductores de alto rendimiento.

Capacidad de producción avanzada: tenemos tres grandes bases de producción en china, con una capacidad mensual de 100.000 pastillas de silicio de 6 pulgadas equivalentes y 30.000 pastillas de silicio de vidrio de 8 pulgadas equivalentes, lo que garantiza un suministro estable y eficiente de productos a nuestros clientes.

Productos de alta calidad: ofrecemos soluciones innovadoras de suministro de productos eficientes y estables en obleas de vidrio, obleas pulidas de silicio, obleas epitaxiales (epi), obleas de silicio sobre aislantes (soi) y otros campos. Nuestras pastillas de silicio tienen las características de ultradelgado, ultraplano y alta precisión, y pueden satisfacer las necesidades de varias aplicaciones de alta gama. Nuestros sustratos de vidrio y cuarzo también son conocidos por su alta suavidad y diseño preciso de poros.

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